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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NTLJD3115PT1G 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN T/R

内部编号

277-NTLJD3115PT1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:118928
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:14760
10+¥2.8595
20+¥2.7835
100+¥2.717
200+¥2.299
400+¥2.242
最小起订量:10
英国伦敦
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#3

数量:10614
1+¥4.191
10+¥3.6112
100+¥2.6976
500+¥2.1197
1000+¥1.638
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NTLJD3115PT1G产品详细规格

规格书 NTLJD3115PT1G datasheet 规格书
NTLJD3115PT1G datasheet 规格书
NTLJD3115P
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 2 P-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.3A
Rds(最大)@ ID,VGS 100 mOhm @ 2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 6.2nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 531pF @ 10V
功率 - 最大 710mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装 6-WDFN (2x2)
包装材料 Tape & Reel (TR)

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